Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)
Пошуковий запит: (<.>A=Ануфриев Л$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Ануфриев Л. П. 
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л. П. Ануфриев, В. В. Баранов, Я. А. Соловьев, М. В. Тарасиков // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 4. - С. 55-56. - Библиогр.: 2 назв. - рус.


Ключ. слова: диоды Шоттки, силицид палладия, термическое испарение, вольт-амперные характеристики.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Рубцевич И. И. 
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа / И. И. Рубцевич, Л. П. Ануфриев, А. Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 5. - С. 54-55. - Библиогр.: 3 назв. - pyc.

Исследованы процессы сборки MOSFET-транзисторов в металлокерамическом корпусе SMD-1 в сравнении с металлопластиковым корпусом SMD-220. Приведены результаты по электрическим и тепловым параметрам. Показано, что тепловое сопротивление p-n-переход - корпус выше для SMD-1, однако согласованность по температурному коэффициенту линейного расширения элементов корпуса SMD-1 позволяет изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность в условиях воздействия перепадов температур более 300 °С.

The processes of MOSFET packaging in SMD-1 metaloceramic package versus SMD-220 metal-plastic package have been explored. The results on electrical and thermal parameters are set out. It is shown that thermal resistance p-n junction to case Rthjc is higher for SMD-1 due to a lower heat conduction of the chip carrier. However, the compliance of the SMD-1 elements in coefficient of thermal linear expansion allows to produce devices with minimal internal strains and to secure their high hermiticity and reliability when subject to temperature fluctuations over 300°С.


Ключ. слова: MOSFET-транзистор, металлокерамический корпус, поверхностный монтаж, герметичность корпуса, тепловое сопротивление транзистора.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:
 Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори) 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
3.

Кублановский В. С. 
Энергия активации электрохимического восстановления серебра из фосфорнокислых электролитов / В. С. Кублановский, О. Л. Берсирова, К. И. Литовченко, В. А. Емельянов, Л. П. Ануфриев // Доп. НАН України. - 2000. - № 3. - С. 155-159. - Библиогр.: 5 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.64

Рубрики:
 Електролітичне відновлення 

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського